FN21N681J500PXG是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。FN21N681J500PXG的封装形式为PQFN5X6-29,适合高密度设计要求。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:13A
导通电阻:0.45Ω
栅极电荷:28nC
开关频率:高达100kHz
工作温度范围:-55°C至150°C
FN21N681J500PXG具有以下特点:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力,支持高频功率转换应用。
3. 内置静电放电保护功能,提高了器件的可靠性。
4. 小型化PQFN封装,适合空间受限的设计。
5. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
FN21N681J500PXG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
4. LED照明驱动电路中的功率调节。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理。
6. 消费类电子产品的适配器和充电器。
IRFZ44N
FDP5500
STP16NM65W
AO3400