时间：2025/5/23 3:02:50
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FN21N680J500PAG 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 Fairchild（现为 Onsemi）生产。该器件采用先进的制造工艺设计，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合在多种高效能电源应用中使用。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等领域。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：21A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：50nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FN21N680J500PAG 具有较高的雪崩击穿能力和强健的抗 ESD 性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
其优化的 RDS(on) 和 Qg 参数组合使得该器件能够在高频开关应用中提供高效的性能表现。
同时，由于其封装形式具有良好的热传导性能，能够有效降低芯片温度，从而提高整体系统的可靠性。
此外，该器件符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
FN21N680J500PAG 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机控制
5. 工业自动化设备
6. 不间断电源（UPS）系统
7. 负载切换与保护电路
其高耐压能力及大电流承载能力使其非常适合高压电力转换和驱动场景。
IRFP460, STP20NM60, FDP18N65C
