时间：2025/7/10 20:14:50
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FN21N5R6C500PAG 是一款高性能的 N 沆道开关 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，主要适用于高效率、低损耗的应用场景。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提高系统的整体性能。
FN21N5R6C500PAG 的封装形式为 PAG 封装，能够有效提升散热性能，并且具备出色的耐用性和可靠性。其广泛应用在电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：18nC
输入电容：1200pF
总功率耗散：30W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PAG
FN21N5R6C500PAG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保在大电流应用中降低功耗。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下持续稳定运行。
5. 小型化封装设计，有助于节省 PCB 布局空间。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
FN21N5R6C500PAG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各种电机驱动电路，如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 负载开关和保护电路，用于防止过流和短路。
4. 充电器和适配器设计，提供高效能转换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器组件。
IRFZ44N
FDP17N10
STP20NF55
