时间：2025/5/26 19:40:03
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FN21N4R7C500PAG是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合要求高效率和低功耗的应用环境。
其封装形式为PAG（可能为定制化或特定厂商封装），能够在高温环境下保持稳定的工作状态，同时具备良好的电气特性和可靠性。
型号：FN21N4R7C500PAG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：7A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：50W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：PAG
FN21N4R7C500PAG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
4. 强大的浪涌电流承受能力，提高了器件的鲁棒性。
5. 小尺寸封装设计，有助于节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保且适用于多种工业领域。
该MOSFET晶体管主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 其他需要高效功率转换和低功耗的设计场景。
IRFZ44N
FDP5800
STP70NF06L
