时间：2025/6/5 11:55:51
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FN21N301J500PAG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理和工业应用领域。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），能够提供高效的电流处理能力以及良好的散热表现。
该型号的MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率控制的场景中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：98nC
开关时间：ton=24ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
FN21N301J500PAG具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，能够支持大功率应用。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗，并允许在高频条件下运行。
4. 强大的散热设计，确保在高温环境下依然保持稳定性能。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的生产要求。
6. 出色的电气特性和可靠性，适用于各种严苛的工作条件。
该芯片适用于广泛的电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
4. 大电流负载的切换与保护电路。
5. 新能源技术，例如太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）。
由于其卓越的性能和灵活性，FN21N301J500PAG成为众多高功率密度设计的理想选择。
FDP18N30,
STW81N30,
IRFZ44N
