FN21N2R7C500PAG是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高电压和高效能的场景。该器件采用N沟道技术,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其封装形式为TO-247,能够提供出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:2.1A
栅极阈值电压:3V~6V
导通电阻:5.5Ω(典型值,@ Vgs=10V)
总功耗:25W
工作温度范围:-55℃~+150℃
FN21N2R7C500PAG具有高耐压能力和低导通电阻的特点,适合在高压条件下工作。
该器件采用了先进的工艺技术,确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。
其TO-247封装设计不仅提供了良好的机械强度,还增强了散热能力,使得器件能够在高功率应用中保持高效运行。
此外,它具备快速开关速度,可减少开关损耗并提高整体效率。
由于其出色的电气特性和热性能,这款MOSFET非常适合用于工业设备、汽车电子以及消费类电子产品中的电源管理部分。
开关电源
电机驱动
DC-DC转换器
逆变器
电池管理系统
负载开关
各类高压电路控制
IRF740
STP70NF7
FQP27N70