时间：2025/7/1 14:15:09
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FN21N2R7C500PAG是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电压和高效能的场景。该器件采用N沟道技术，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其封装形式为TO-247，能够提供出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：2.1A
栅极阈值电压：3V~6V
导通电阻：5.5Ω（典型值，@ Vgs=10V）
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃~+150℃
FN21N2R7C500PAG具有高耐压能力和低导通电阻的特点，适合在高压条件下工作。
该器件采用了先进的工艺技术，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。
其TO-247封装设计不仅提供了良好的机械强度，还增强了散热能力，使得器件能够在高功率应用中保持高效运行。
此外，它具备快速开关速度，可减少开关损耗并提高整体效率。
由于其出色的电气特性和热性能，这款MOSFET非常适合用于工业设备、汽车电子以及消费类电子产品中的电源管理部分。
开关电源
电机驱动
DC-DC转换器
逆变器
电池管理系统
负载开关
各类高压电路控制
IRF740
STP70NF7
FQP27N70
