时间：2025/6/28 22:26:36
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IRLR3110ZPBF是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道逻辑级功率MOSFET，采用SO-8封装形式。该器件专为低导通电阻和高效率应用设计，适合在要求高效能、快速开关的电路中使用。它广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
持续漏极电流：29A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：17nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRLR3110ZPBF具有非常低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
其快速开关性能使其适用于高频开关应用，同时能够承受较大的脉冲电流。此外，该器件具备优异的热稳定性和可靠性，适合恶劣的工作环境。
SO-8封装提供了良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于电路板布局。
该芯片适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流电路
2. DC-DC转换器的高端或低端开关
3. 便携式设备中的负载开关
4. 电池保护及管理系统
5. 小型电机驱动及控制
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块
IRLR3106,
IRLR3107,
IRLR3112,
IRLR3113
