时间：2025/7/10 20:10:54
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FN21N2R2B500PAG是一种高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺，适用于各种高效率、高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，使其在电源管理领域表现优异。它通常用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。
型号：FN21N2R2B500PAG
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：2.1A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：2.4Ω
栅极电荷：9nC
总功耗：5W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FN21N2R2B500PAG具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适合现代高效电源设计。
3. 出色的热性能，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
4. 小尺寸封装，节省电路板空间，便于紧凑型设计。
5. 高耐压能力，能够在恶劣环境下稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和能量转换。
3. 电机驱动，特别是在小型直流电机控制中。
4. 负载开关，用于电子设备中的动态电源管理。
5. 电池保护电路，防止过流或短路。
6. 其他需要高效开关和功率处理的应用场景。
IRFZ44N, FQP27P06, AO3400
