时间：2025/8/24 22:04:46
阅读：15
IXTN15N100是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高电压的应用场景。这款MOSFET设计用于在高电压条件下提供高效、可靠的性能，适用于如电源转换、电机控制、逆变器和其他高功率电子设备。IXTN15N100采用了先进的平面技术，确保了器件在高温和高压下的稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：1000V
栅极-源极电压（VGSS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约0.68Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散（PD）：125W
IXTN15N100具备多项卓越的电气和机械特性，适用于高电压和高功率应用。其主要特性包括：高击穿电压（1000V），确保器件在高压环境下的稳定运行；较低的导通电阻（约0.68Ω），有助于减少导通损耗并提高效率；宽栅极-源极电压范围（±30V），允许更灵活的驱动电路设计；同时具备较高的功率耗散能力（125W），使其能够在高功率条件下保持良好的热稳定性。
此外，该器件采用了TO-220AB封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于各种恶劣的工作环境。该封装还便于安装在散热器上，以提高热管理效率。IXTN15N100还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的安全保障。这使得它在电机驱动、电源转换和工业控制系统中具有广泛的应用潜力。
IXTN15N100广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制、LED驱动器、工业自动化设备、电池充电器以及各种高功率DC-DC转换器。由于其高击穿电压和良好的导通性能，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。此外，在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等可再生能源和电力电子系统中，IXTN15N100也常被用作核心开关元件。
IXTP14N100C, FQA16N100, IRFHV120, STF15N100
