FN21N271J500PAG 是一款 N 沟道功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点,能够满足高电流和高频应用的需求。
FN21N271J500PAG 采用先进的制造工艺设计,支持大功率应用,同时保持较低的热阻,确保了良好的散热性能。其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:270A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
总功耗:240W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:PAK
FN21N271J500PAG 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力,适用于大功率负载。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗并提高了高频操作性能。
4. 强大的散热能力,能够在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑型封装,节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 工业设备中的负载开关和保护电路。
4. 大功率 LED 驱动器。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 数据中心服务器和通信电源模块。
IRF2807,
STP270N3LL,
FDP2807,
IXYS28N3L