时间：2025/5/24 19:14:35
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FN21N271J500PAG 是一款 N 沟道功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点，能够满足高电流和高频应用的需求。
FN21N271J500PAG 采用先进的制造工艺设计，支持大功率应用，同时保持较低的热阻，确保了良好的散热性能。其封装形式通常为表面贴装类型，适合自动化生产。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：270A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
总功耗：240W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：PAK
FN21N271J500PAG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率负载。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗并提高了高频操作性能。
4. 强大的散热能力，能够在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑型封装，节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 工业设备中的负载开关和保护电路。
4. 大功率 LED 驱动器。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 数据中心服务器和通信电源模块。
IRF2807,
STP270N3LL,
FDP2807,
IXYS28N3L
