时间：2025/5/8 12:17:20
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TF130N10NG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TO-252 封装，适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，非常适合于需要高效能和可靠性的电路设计。
这款 MOSFET 的最大额定电压为 100V，能够承受较高的漏源极电压，同时其较低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体效率。
最大漏源极电压：100V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：0.22Ω
功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
TF130N10NG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型 TO-252 封装，节省 PCB 空间，并提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
TF130N10NG 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，如步进电机、直流无刷电机等控制电路。
3. 各类负载切换应用，例如电池管理系统中的电子开关。
4. 保护电路，如过流保护、短路保护等。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF540N
STP16NF10
FQP17N10
