时间：2025/6/22 12:11:03
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FN21N182J500PXG是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特性，适合于多种电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。
型号：FN21N182J500PXG
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：182V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：50A
导通电阻Rds(on)：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：300W
工作温度范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：PXG
FN21N182J500PXG具有以下显著特性：
1. 低导通电阻Rds(on)，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，减少开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子设备的需求。
6. 封装设计优化散热，能够支持大电流操作。
FN21N182J500PXG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
6. 各种需要高电流和高压操作的电力电子设备。
IRFP260N
STP50NF18
FDP18N18
IXTH50N180P
