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FN21N180J500PAG 发布时间 时间:2025/5/23 14:18:04 查看 阅读:3

FN21N180J500PAG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沱 MOSFET 芯片。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 PAK 封装,有助于提高散热性能和简化 PCB 布局设计。
  该芯片在电力电子领域中表现优异,广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场合。

参数

型号:FN21N180J500PAG
  VDS(漏源极耐压):1800V
  RDS(on)(导通电阻):500mΩ
  ID(连续漏极电流):21A
  Qg(栅极电荷):60nC
  Ciss(输入电容):3790pF
  Tj(结温范围):-55℃ 至 +175℃
  封装:PAK

特性

FN21N180J500PAG 的主要特点是高耐压能力(1800V),这使其能够适应高压环境下的应用需求。同时,其较低的导通电阻(500mΩ)可减少传导损耗,提高整体效率。此外,该器件具备快速开关特性,支持高频工作场景,降低开关损耗。
  该产品采用先进的半导体制造工艺,在确保可靠性和耐用性的同时,也优化了热性能,从而允许更高的电流密度和更紧凑的设计。
  它还具有出色的雪崩能力和 ESD 防护性能,增强了系统在异常条件下的稳定性。这些特点共同决定了 FN21N180J500PAG 在工业级和汽车级应用中的卓越表现。

应用

FN21N180J500PAG 广泛用于高压功率转换系统,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 光伏逆变器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 高压 DC-DC 转换器
  6. 不间断电源(UPS)  由于其高耐压特性和可靠性,这款芯片非常适合需要处理高电压和大电流的应用场景。

替代型号

IRG4PH50UD
  FQA22P180
  STW81N180

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