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FN21N152J500PXG 发布时间 时间:2025/6/17 5:19:14 查看 阅读:5

FN21N152J500PXG是一款由Fairchild(现为On Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,旨在满足高效率、高可靠性和低导通电阻的应用需求。其主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。
  FN21N152J500PXG具有出色的电气性能,能够在高频开关条件下保持高效的能量转换,并且具备良好的热特性和耐用性。其封装形式为Pentawatt? 5 (SOT-223),适合表面贴装技术,能够有效节省PCB空间。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:36nC
  输入电容:1340pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:Pentawatt? 5 (SOT-223)
  典型栅极阈值电压:2.7V

特性

FN21N152J500PXG的主要特点是其低导通电阻和优化的开关特性。它在21A的连续漏极电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高了整体系统效率。
  此外,该器件采用了Pentawatt? 5封装,这种封装形式不仅有助于提高散热性能,还提供了更高的机械强度,适用于恶劣环境下的应用。
  由于其具备较高的雪崩击穿能力和快速的开关速度,这款MOSFET非常适合需要频繁开关或承受瞬态电压冲击的应用场景。
  另外,该器件的工作温度范围广泛,从-55℃到+175℃,使其能够在极端环境下稳定运行。

应用

FN21N152J500PXG广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的信号放大和功率控制模块。
  这些应用场景充分利用了该器件的高效能、低损耗和高可靠性特点。

替代型号

IRFZ44N, FDP21N15E

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