时间：2025/5/26 19:49:21
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FN21N122J500PXG是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和大电流应用而设计。该器件采用先进的工艺制造，具有出色的开关特性和低导通电阻，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。：额定电压为1200V，连续漏极电流可达21A（具体取决于工作条件）。其封装形式为PXG，适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减少安装空间。
额定电压：1200V
连续漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：500mΩ
栅极电荷：30nC
最大工作结温：175°C
封装形式：PXG
1. 高耐压能力，额定电压高达1200V，适用于高压场景。
2. 低导通电阻设计，能够有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度，支持高频应用，减少能量损失。
4. 高可靠性，能够在高温环境下稳定运行，最高结温可达175°C。
5. 表面贴装封装PXG，节省PCB空间并简化装配流程。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管使用。
2. 工业逆变器和变频器的功率级驱动。
3. 电动工具和家电中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
5. 高压DC-DC转换器及电池管理系统（BMS）。
6. 各类高压电子负载保护和切换功能实现。
FND21N120K500PXG, IRFP460, STW83N120
