时间：2025/6/26 16:26:09
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FN18X821K500PSG 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 PSG，适合高密度电路设计，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
型号：FN18X821K500PSG
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：821V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω
总功耗(Ptot)：500W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：PSG
FN18X821K500PSG 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，能够承受高达 821V 的漏源电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.5Ω，在大电流应用中能有效降低功耗。
3. 快速开关特性，具备较低的栅极电荷 (Qg)，从而减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 封装紧凑，节省 PCB 空间，便于在高密度设计中使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化系统中的负载切换和保护。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统的各种功率控制模块。
由于其优异的电气特性和可靠性，FN18X821K500PSG 成为许多高要求应用场景的理想选择。
IRF840A
FQP17N80C
STP18NF82
