时间：2025/6/21 20:26:46
阅读：5
2N7002H 是一种 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛用于需要低电压驱动、高效率和快速开关的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合在高频电路中使用。由于其紧凑的设计和优异的电气性能，2N7002H 成为许多消费类电子设备和工业控制应用中的理想选择。
作为一种标准的小信号 MOSFET，2N7002H 在逻辑电平驱动电路中表现尤为出色，通常用作功率级切换或负载控制。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：300mA
最大功耗：480mW
导通电阻：1.9Ω
栅极电荷：4nC
开关时间：开启延迟时间 12ns，关断传播时间 15ns
2N7002H 的主要特性包括：
1. 低导通电阻，确保更高的效率和更低的功耗。
2. 高速开关能力，适用于高频应用。
3. 逻辑电平兼容性，便于与数字电路接口。
4. 紧凑的封装形式（如 SOT-23），适合空间受限设计。
5. 较宽的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适应各种环境条件。
6. 高可靠性设计，满足长时间运行需求。
2N7002H 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 便携式设备中的电源管理。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 数据通信中的信号切换。
6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
7. 逻辑电平驱动的负载切换和隔离。
2N7002K, BSS138, PMV40UN
