FN18X561K500PSG 是一款高性能的 N 沆道开关 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺和封装技术。该芯片适用于多种高功率、高频应用场景,具有低导通电阻和快速开关速度等特性。其出色的电气性能使其成为工业电源管理、通信设备、消费类电子等领域中的理想选择。
FN18X561K500PSG 的设计注重效率与可靠性,在保证低功耗的同时具备较高的抗干扰能力,能够满足现代电子设备对高效能元器件的需求。此外,它还通过了多项国际认证标准,确保在各种复杂环境下的稳定运行。
型号:FN18X561K500PSG
类型:N 沥道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss):500V
最大连续漏极电流(Id):40A
最大栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.05Ω(典型值@Vgs=10V)
总功耗(Ptot):300W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
FN18X561K500PSG 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:支持高达 500V 的漏源电压,能够在高压环境下可靠工作。
2. 低导通电阻:典型导通电阻为 0.05Ω,可显著降低传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度:优化的内部结构使其具备极短的开关时间,适合高频应用。
4. 强大的散热性能:采用 TO-247 封装,具备良好的热传导性,便于热量散发。
5. 宽广的工作温度范围:可在 -55℃ 至 +175℃ 的温度范围内正常运行,适应极端环境。
6. 稳定性和耐用性:经过严格测试,符合工业级质量标准,提供长期可靠的使用体验。
FN18X561K500PSG 广泛应用于以下领域:
1. 工业电源:如不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)等。
2. 电机驱动:包括家用电器、工业设备中的直流无刷电机控制。
3. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统的电力转换部分。
4. 电动汽车充电站:作为关键功率器件,参与充电过程中的能量传输与调节。
5. 通信设备:例如基站电源模块、信号放大器等需要高效功率转换的场景。
6. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、LED 照明驱动等。
IRFP460, FDP17N50C, STW92N50