时间：2025/7/1 14:13:46
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FN18X561K500PSG 是一款高性能的 N 沆道开关 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺和封装技术。该芯片适用于多种高功率、高频应用场景，具有低导通电阻和快速开关速度等特性。其出色的电气性能使其成为工业电源管理、通信设备、消费类电子等领域中的理想选择。
FN18X561K500PSG 的设计注重效率与可靠性，在保证低功耗的同时具备较高的抗干扰能力，能够满足现代电子设备对高效能元器件的需求。此外，它还通过了多项国际认证标准，确保在各种复杂环境下的稳定运行。
型号：FN18X561K500PSG
类型：N 沥道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：500V
最大连续漏极电流(Id)：40A
最大栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：0.05Ω（典型值@Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FN18X561K500PSG 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：支持高达 500V 的漏源电压，能够在高压环境下可靠工作。
2. 低导通电阻：典型导通电阻为 0.05Ω，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度：优化的内部结构使其具备极短的开关时间，适合高频应用。
4. 强大的散热性能：采用 TO-247 封装，具备良好的热传导性，便于热量散发。
5. 宽广的工作温度范围：可在 -55℃ 至 +175℃ 的温度范围内正常运行，适应极端环境。
6. 稳定性和耐用性：经过严格测试，符合工业级质量标准，提供长期可靠的使用体验。
FN18X561K500PSG 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：如不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)等。
2. 电机驱动：包括家用电器、工业设备中的直流无刷电机控制。
3. 太阳能逆变器：用于太阳能发电系统的电力转换部分。
4. 电动汽车充电站：作为关键功率器件，参与充电过程中的能量传输与调节。
5. 通信设备：例如基站电源模块、信号放大器等需要高效功率转换的场景。
6. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、LED 照明驱动等。
IRFP460, FDP17N50C, STW92N50
