时间：2025/5/24 17:45:38
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CDR31BX332BMZRAT 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。该芯片广泛用于需要高性能功率管理的场合，例如适配器、充电器、DC-DC 转换器和电动工具等。
该器件采用了 TO-252 封装（DPAK），这种封装形式有助于改善散热性能并提供更高的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：46A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
输入电容：1360pF
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 高雪崩耐量能力，增强了器件在过载条件下的可靠性。
3. 快速开关特性，减少了开关损耗并提高了效率。
4. 优化的 Qg 和 Crss 参数设计，适合硬开关和软开关应用。
5. 支持高频操作，能够满足现代电子设备对紧凑尺寸和高效率的需求。
6. 提供出色的热稳定性和电气稳定性，确保长期可靠运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种工业及消费类电子产品中。
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机 (BLDC)
- 步进电机
3. 电池充电器：
- 手机和平板电脑快速充电器
- 动力电池管理系统 (BMS)
4. 工业自动化：
- 可编程逻辑控制器 (PLC)
- 工业逆变器
5. 电动工具：
- 无线吸尘器
- 电钻和其他便携式设备
IRF3205, FDP5802, BUK7Y1R2-30E
