时间：2025/6/5 11:52:18
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FN18X474K160PBG是一款由Fujitsu（富士通）推出的高密度非易失性存储器芯片，基于FRAM（铁电随机存取存储器）技术。该芯片具有快速写入、低功耗以及高读写耐久性的特点，适合需要频繁数据记录的应用场景。
FRAM技术结合了RAM的高速和Flash的非易失性特性，使得FN18X474K160PBG能够在断电后保存数据，并提供极高的读写速度和可靠性。
容量：256K x 16位
工作电压：2.7V至3.6V
接口类型：并行接口
数据保留时间：超过10年
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：PBG（塑料球栅阵列）
引脚数：48
存储周期耐久性：超过10万亿次
1. FN18X474K160PBG采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术，提供了卓越的数据写入速度和耐久性。
2. 相较于传统的EEPROM或Flash存储器，FRAM无需写入延迟，可实现即时数据存储。
3. 芯片支持宽工作电压范围，适用于多种供电环境。
4. 高温稳定性使其在工业和汽车应用中表现优异。
5. FRAM的非易失性确保了在断电时数据不会丢失。
6. 该芯片设计紧凑，使用PBG封装形式，适合空间受限的应用场景。
FN18X474K160PBG主要应用于需要高频数据记录和高可靠性的领域，包括但不限于：
1. 工业自动化设备中的数据日志记录。
2. 医疗设备中的关键数据存储。
3. 汽车电子系统中的实时数据采集与保存。
4. 计量仪表（如水表、电表）中的累积数据存储。
5. 物联网（IoT）设备中的传感器数据缓存。
6. 数据记录仪和黑匣子等对数据完整性要求极高的设备。
MB85RC256V, FM25W256, CY15B104Q
