时间：2025/6/30 11:43:05
阅读：35
FN18N8R0C500PSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他电力电子设备中。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。其设计优化了效率和可靠性，适用于高密度功率转换应用。
该型号为N沟道增强型MOSFET，额定电压为800V，能够承受较高的漏源电压，适合高压工作环境。
额定电压：800V
额定电流：18A
导通电阻：0.05Ω（典型值，25℃）
栅极电荷：75nC（最大值）
输入电容：1300pF（典型值）
开关速度：快速开关
封装形式：TO-247
FN18N8R0C500PSG具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可达到800V，适合各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在25℃时仅为0.05Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关特性，栅极电荷较小（75nC），有助于减少开关损耗。
4. 良好的热性能，能够有效散发热量，延长器件寿命。
5. 高电流承载能力，额定电流达需求。
6. 稳定性和可靠性高，适用于工业级和消费级电子产品。
这些特性使得该器件非常适合高频开关电路中的功率转换和控制任务。
FN18N8R0C500PSG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 太阳能逆变器
6. UPS不间断电源
7. 各类工业自动化设备
由于其高压和大电流特性，该器件特别适用于需要高效功率转换和可靠运行的场景。
IRFP460, STP18NB80Z, FQA18N80E
