FN18N821J500PSG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计,适用于多种高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能等特点,广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率控制的场合。
此型号中的具体参数和封装形式表明它适合于中高电压应用,并在功耗和散热方面有出色表现。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(V_DS):820V
连续漏极电流(I_D):18A
导通电阻(R_DS(on)):0.5Ω
栅极电荷(Q_g):45nC
总功耗(P_TOT):150W
工作温度范围(T_J):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
FN18N821J500PSG 具备以下显著特性:
1. 高耐压能力,能够承受高达 820V 的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻,仅为 0.5Ω,有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
3. 快速开关特性,栅极电荷较小 (45nC),确保在高频应用中具有较低的开关损耗。
4. 支持大电流连续运行,最高可达 18A 的漏极电流,满足大功率设备需求。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃),适应极端环境条件下的可靠运行。
6. 使用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械稳定性。
这款功率 MOSFET 可应用于多种领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动及逆变器电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的电力转换模块。
4. 各类负载开关和保护电路的设计。
5. 电动车 (EV) 或混合动力车 (HEV) 的车载充电器及电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
IRFP460,
FDP18N80,
STP18NF80,
IXTH18N80L,
Infineon IPW18N80C