时间：2025/6/22 5:41:08
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FN18N820J500PSG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用了先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为 TO-263-3（DPAK），适用于各种需要高效能功率管理的应用场景。
该型号主要设计用于直流到直流转换器、负载开关、电机控制、电源管理和逆变器等应用领域。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.5Ω
栅极电荷：39nC
总电容（输入电容）：480pF
开关频率：最高支持 100kHz
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263-3（DPAK）
FN18N820J500PSG 的主要特点是具备高耐压能力，额定电压达到 820V，这使得它非常适合高压环境下的应用。同时，该器件拥有较低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高系统效率。此外，其快速开关能力和优化的栅极驱动特性也确保了在高频工作条件下的卓越性能。
该器件还具备良好的热稳定性，在高温条件下依然可以保持稳定的电气性能。其采用的 TO-263-3 封装形式不仅便于安装，还提供了出色的散热性能。这些特点共同使 FN18N820J500PSG 成为一种高效且可靠的功率半导体解决方案。
该 MOSFET 广泛应用于工业、汽车和消费类电子领域。常见的应用包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率开关。
2. 用于电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 在不间断电源 (UPS) 系统中作为关键功率路径组件。
4. 电动汽车充电设备及电池管理系统中的功率调节。
5. 各种需要高电压处理能力的逆变器和变频器设计。
由于其出色的性能，这款器件非常适合要求高效率、高可靠性的应用场合。
IRFP460, STP18NF80Z, FDP18N80C
