时间：2025/6/17 2:22:57
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FN18N6R8D500PSG是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统效率并减少功率损耗。
这款芯片的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和焊接。其设计符合RoHS标准，适合环保要求较高的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：35nC
导通电阻：0.18Ω
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压（600V），适用于高电压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻（0.18Ω），可显著降低功耗并提高能效。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，能够在异常条件下提供更高的可靠性。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间并简化布局。
6. 符合RoHS标准，满足环保要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电机驱动控制
4. LED照明驱动
5. 负载开关
6. 工业电源模块
7. 不间断电源（UPS）系统
8. 充电器与适配器
IRFP460,
FDP18N60,
STP18NB60,
IXTH18N60P
