时间：2025/5/23 3:00:28
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FN18N6R0C500PSG是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用N沟道增强型结构，能够在高电压条件下提供高效的开关性能。
该型号属于Fairchild（现为ON Semiconductor）推出的PowerTrench系列，其设计优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，适合于需要高频工作的场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：42nC
输入电容：3300pF
总功耗：20W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高雪崩能量能力，确保在过压条件下具有更高的可靠性。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并支持高频操作。
4. 小封装尺寸（通常为TO-220或DPAK），有助于节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 内部采用优化的芯片布局，改善热性能。
该型号广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 工业逆变器
5. 太阳能微逆变器
6. LED驱动器
由于其较高的额定电压和大电流承载能力，FN18N6R0C500PSG非常适合需要稳定性和高效性的高压应用场景。
FQA18N60C
STP18NF60
IRFP460
FZ18N60
