时间：2025/7/5 3:54:12
阅读：13
FN18N560J500PSG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源等领域，适用于需要高效能和稳定性能的电子设备。
其封装形式为标准的 TO-247 或者 D2PAK（具体以数据手册为准），能够提供出色的散热性能和电气连接可靠性。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247 或 D2PAK
FN18N560J500PSG 具备以下显著特性：
1. 高击穿电压 (560V)，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻 (0.5Ω)，减少导通损耗并提升整体效率。
3. 快速开关能力，支持高频操作。
4. 内置保护功能（如过温保护等，视具体型号而定）。
5. 稳定性好，在极端环境条件下仍可保持良好性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得该器件成为许多高功率应用的理想选择。
该功率 MOSFET 可用于多种工业及消费类电子产品中：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 不间断电源 (UPS) 系统。
4. 太阳能逆变器。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电力管理系统。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
在这些应用中，FN18N560J500PSG 的高性能表现能够有效降低能耗并提高系统的可靠性和稳定性。
IRFP260N, STP18NF56, FQA18N56C
