时间：2025/6/17 5:17:16
阅读：2
FN18N3R9C500PSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该型号为N沟道增强型MOSFET，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。其封装形式通常为TO-220或类似类型，能够承受较高的电压和电流，适合中高功率应用场景。
该器件的主要特点是具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提升整体系统效率。同时，其快速开关特性和稳定的电气性能使其在高频开关应用中表现优异。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：9A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1. 高击穿电压，支持高达500V的应用环境。
2. 极低的导通电阻（典型值为180mΩ），有效降低导通损耗开关速度，适用于高频开关模式电源设计。
4. 稳定的动态性能，确保在负载瞬态变化时保持可靠运行。
5. 封装形式坚固耐用，具有良好的散热能力，可适应恶劣的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关元件。
3. 电机驱动控制电路。
4. UPS（不间断电源）系统中的关键功率器件。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 充电器和其他需要高效功率转换的场景。
IRF540N, FQP17N50, STP17NF50
