FN18N3R3C500PSG是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种电力电子转换和控制场景。其封装形式通常为行业标准型,便于集成到各类电路系统中。
FN18N3R3C500PSG的主要特点是能够承受较高的漏源电压,并在高频工作条件下保持高效性能。此外,该器件还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,确保在恶劣环境下的可靠运行。
额定漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):3.3mΩ
栅极电荷(典型值):60nC
开关时间:开启延迟时间:70ns,关断下降时间:40ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
FN18N3R3C500PSG具有以下主要特性:
1. 高额定漏源电压,适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻,减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度,降低开关损耗,提升系统性能。
4. 优化的栅极驱动特性,简化驱动电路设计。
5. 良好的热性能,有助于提高整体系统的散热能力。
6. 在极端温度范围内保持稳定的工作性能,适应多种工业和汽车级应用场景。
FN18N3R3C500PSG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器和变频器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 太阳能逆变器及储能系统
5. 电动汽车充电设备
6. 工业自动化和控制设备中的功率转换模块
7. LED驱动电源及其他需要高效功率管理的场合
IRFP460, STP18NF50, FDP18N50