时间：2025/7/7 15:45:49
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FN18N331J500PSG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3封装，适合用于高频开关应用、DC-DC转换器、电源管理电路以及电机驱动等场景。其额定电压为30V，连续漏极电流可达18A，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款MOSFET适用于需要高效率和低损耗的电路设计，尤其是在负载切换和功率转换方面表现优异。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：45nC
总电容（输入电容）：1140pF
最大功耗：17W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3
FN18N331J500PSG具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中表现出色，能够有效减少传导损耗。
此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，并降低开关损耗。
它还支持高达175℃的工作结温，从而增强了在高温环境下的可靠性。
该器件采用了先进的制程技术，确保了出色的热性能和电气性能，非常适合对效率和散热要求较高的应用。
FN18N331J500PSG广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- 降压/升压转换器
- 汽车电子系统中的负载切换
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备中的功率管理
- LED照明驱动电路
凭借其低导通电阻和高电流承载能力，该器件是许多高效能功率转换应用的理想选择。
IRFZ44N
FDP15N30
STP19NM30E
