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AON6560 发布时间 时间:2025/5/8 9:59:18 查看 阅读:13

AON6560是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种功率转换和开关应用。其出色的性能使其成为需要高效能和高可靠性的设计的理想选择。
  AON6560的典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理以及电机驱动等领域。其低导通电阻特性可以有效减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:178A
  导通电阻:0.5mΩ
  栅极电荷:195nC
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

AON6560的主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为0.5mΩ,可显著降低功率损耗。
  2. 支持高达178A的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 耐热增强型TOLL封装,提高了散热性能。
  4. 工作温度范围宽广,适应极端环境条件。
  5. 快速开关速度,能够减少开关损耗并提高整体效率。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

AON6560广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 各类负载开关应用,例如服务器电源管理。
  3. 电池管理系统中的保护电路。
  4. 高效电机驱动器。
  5. 大功率逆变器和UPS系统。
  6. 汽车电子中的电源分配和控制模块。

替代型号

AOTF16G60L
  AON6160

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AON6560参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥8.03478卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)84A(Ta),200A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.62 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)325 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11500 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线