时间：2025/7/1 9:32:45
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FN18N222J500PBG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计。该器件适用于高频开关应用和需要高效率、低导通电阻的场景。
这款功率 MOSFET 具有快速开关特性和较低的栅极电荷，能够显著提高系统的整体性能。其封装形式为 PG-TO263-3，具有良好的散热性能，非常适合工业和消费类电子设备中的电源管理电路。
最大漏源电压：222V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.07Ω
栅极电荷：40nC
总电容：300pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PG-TO263-3
FN18N222J500PBG 提供了出色的电气性能，包括低导通电阻和低栅极电荷，确保在高频应用中具有高效的能量转换能力。
该器件支持宽范围的工作温度，适合各种恶劣环境下的使用需求。同时，其具备优良的热稳定性和抗浪涌能力，增强了系统可靠性。
此外，它还拥有快速的开关速度，从而减少开关损耗并提高整体效率。这种特性使其成为许多电源管理和电机驱动应用的理想选择。
FN18N222J500PBG 广泛应用于多种领域，例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及 LED 驱动器等。
由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于太阳能逆变器、电动车充电器和其他需要高效能量转换的应用场景。此外，在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器和平板电视电源中也能见到它的身影。
IRF2222PBF
FDP18N22
STW118N22M5
