时间：2025/5/21 12:33:18
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FN18N1R8C500PSG是一款高压功率MOSFET器件，采用N沟道增强型设计。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高电压和高效率场景中。其设计特点在于低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（BVdss）以及优异的开关性能。此外，该器件还具有快速恢复体二极管特性，可有效减少开关损耗。
这款MOSFET封装形式为TO-220，适合散热要求较高的应用场合。由于其出色的电气特性和稳定性，它成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：35nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
结温：150℃
1. 高击穿电压（500V），适用于高电压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.8Ω），降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速恢复体二极管，减少开关过程中产生的反向恢复损耗。
4. 小型化的封装（TO-220），便于集成到紧凑型电路设计中。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃至+150℃），确保在极端环境下仍能稳定运行。
6. 栅极电荷较低（35nC），有助于提高开关速度并减少驱动功耗。
FN18N1R8C500PSG主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 各种类型的电机驱动器，如步进电机和无刷直流电机。
4. 能量存储系统中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
6. 汽车电子系统的电源管理模块。
7. LED驱动电源及其他高效率电力转换装置。
IRF840, STP18NF50, FDP18N50C
