时间：2025/6/24 13:09:41
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FN18N1R5C500PSG是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
FN18N1R5C500PSG属于高压功率MOSFET系列，适用于需要高性能和高可靠性的工业及消费类电子产品中。
型号：FN18N1R5C500PSG
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：500V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：18A
导通电阻Rds(on)：1.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：265W
结温范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
FN18N1R5C500PSG具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（500V），适合高压应用场景。
2. 低导通电阻（1.5Ω），可有效减少导通损耗，提高能效。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
4. 较高的漏极电流能力（18A），满足大功率应用需求。
5. 工作温度范围宽广（-55°C至+175°C），适应各种恶劣环境。
6. 具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，保证了长期可靠性。
7. 采用标准TO-247封装，便于安装和散热设计。
FN18N1R5C500PSG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换和控制。
2. 电机驱动电路，用于高效控制直流无刷电机或步进电机。
3. 逆变器模块，用于太阳能发电系统或其他电力变换设备。
4. 各种工业自动化设备中的功率开关。
5. 电动工具和其他便携式电器的主功率回路控制。
6. LED驱动器和照明系统中的恒流控制。
其高耐压和低导通电阻特性使其在高压、高频应用中表现出色。
IRFP460, STP18NF50, FDP18N50C
