FN18N1R0C500PSG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,采用先进的制造工艺。该型号属于功率MOSFET系列,适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其设计注重低导通电阻和高开关速度,从而降低功耗并提升系统性能。
该器件支持较高的工作电压,并具有出色的热稳定性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
型号:FN18N1R0C500PSG
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):500V
栅源极电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ(典型值,在特定条件下)
总功耗(Ptot):360W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃至+175℃
FN18N1R0C500PSG具备以下显著特点:
1. 高耐压能力:500V的漏源极击穿电压使其能够承受高压环境,适合多种功率应用。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为1.0mΩ,从而有效降低传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关性能:该器件具有较小的输入电容和输出电荷,确保快速的开关速度,减少开关损耗。
4. 强大的电流承载能力:支持高达18A的持续漏极电流,满足高功率需求。
5. 高温稳定性:能够在极端温度范围内可靠工作,适应恶劣的工作条件。
6. 紧凑的封装设计:采用TO-247封装,便于散热和安装,同时节省空间。
这些特性使FN18N1R0C500PSG成为高效功率转换和控制的理想选择。
该型号主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关管。
2. 电机驱动:适用于直流无刷电机(BLDC)和其他类型的电机控制电路。
3. 负载开关:用作大电流负载的开关元件。
4. 电池管理系统(BMS):提供高效的充放电路径控制。
5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
6. 汽车电子:包括电动助力转向(EPS)、电动车窗和座椅调节等系统。
凭借其优异的性能和可靠性,FN18N1R0C500PSG可以胜任多种复杂场景下的功率管理任务。
IRFP460,
STP18NF50,
FDP18N50,
IXFK18N50P