FN18N181J500PSG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商生产。该器件属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等需要高效功率转换和控制的应用场景。其设计注重低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合要求严格的工业和消费类电子应用。
FN18N181J500PSG采用了先进的制造工艺,能够在高频工作条件下提供高效的性能表现,并且具备良好的可靠性和耐用性。其封装形式为行业标准的TO-220,能够方便地集成到各种电路设计中。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
总功耗:175W
工作温度范围:-55℃至+150℃
FN18N181J500PSG具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达500V,适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 低导通电阻设计,仅为0.18Ω,有效降低导通损耗并提升效率。
3. 高速开关性能,栅极电荷小至45nC,确保快速开启和关闭,减少开关损耗。
4. 强大的散热能力,支持高达175W的总功耗,满足大功率应用场景的需求。
5. 工作温度范围广,从-55℃至+150℃,适应极端环境条件。
6. 符合RoHS环保标准,支持绿色电子产品设计。
该器件适用于多种应用领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)设计,用于高效能量转换。
2. 电机驱动器,实现对直流无刷电机或其他类型电机的精确控制。
3. 负载开关,在便携式设备或工业控制系统中实现电源管理。
4. 逆变器系统,用于太阳能逆变器或其他电力转换设备。
5. PFC(功率因数校正)电路,提高电源系统的效率和稳定性。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP18NF50
FDP18N50C