FM28V020-TG 是由 Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)公司生产的一款非易失性存储器(NVRAM)芯片,具有 256K x 8 位的存储容量。该芯片结合了高速异步SRAM与非易失性存储技术,能够在断电情况下保留数据,适用于需要高速访问和数据持久性的应用场景。
容量:256K x 8 位
工作电压:3.3V 或 5V 可选
访问时间:55ns、70ns 或 90ns 可选
封装形式:TSOP(Thin Small-Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据保持时间:超过 10 年(在 +75°C 下)
读写耐久性:100,000 次循环
FM28V020-TG 具备卓越的性能和可靠性,采用先进的非易失性存储器技术,能够在无电源的情况下保持数据完整性。该芯片的高速访问时间使其适用于实时数据存储和高速缓存应用。此外,其宽广的工作温度范围和高耐久性使得该器件非常适合在严苛环境中使用。
这款芯片的一个显著特点是其非易失性特性无需外部电池或超级电容来维持数据,从而简化了系统设计并提高了整体可靠性。FM28V020-TG 支持标准的异步SRAM接口,因此可以轻松集成到现有的系统架构中,无需额外的控制器或时序调整。此外,该芯片还具备低功耗特性,在待机模式下功耗极低,适合用于电池供电设备和便携式电子设备。
该芯片还支持软件和硬件数据保护机制,防止意外写入或擦除操作,确保关键数据的安全性。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用,提高系统集成度。FM28V020-TG 还具备良好的电磁兼容性(EMC)和抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中稳定工作。
FM28V020-TG 被广泛应用于工业自动化控制系统、通信设备、网络路由器和交换机、测试测量仪器、医疗设备、安防监控系统以及嵌入式系统等领域。其高速度和非易失性特点使其成为需要频繁读写和断电数据保持的理想选择,例如在数据日志记录、系统配置存储、高速缓存缓冲区等场景中都有广泛应用。
CY14B104Q-SNXC, FM28S020-TG, CY14B104Q-SNXC