时间：2025/5/19 18:04:58
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FN18N101J500PSG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于各种需要高效能功率转换的应用场景。
这款芯片广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等领域。
型号：FN18N101J500PSG
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源电压）：100V
RDS(on)（导通电阻）：30mΩ
ID（持续漏极电流）：18A
栅极电荷：25nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
FN18N101J500PSG 的主要特性包括以下几点：
1. 高效的功率转换能力，得益于其较低的导通电阻 RDS(on)，在大电流应用中能够显著减少功耗。
2. 快速的开关速度，由于栅极电荷较小，能够实现高频操作，适用于高频开关电源设计。
3. 优秀的热性能表现，能够在较高的结温下稳定工作，从而提升整体系统的可靠性。
4. 强大的过载能力，可承受高达 18A 的持续电流，同时具备瞬态峰值电流处理能力。
5. 宽泛的工作温度范围，适应从极端寒冷到高温环境下的多样化应用场景。
该芯片的应用领域非常广泛，具体如下：
1. 开关电源（SMPS），用于提高效率并减少能量损耗。
2. DC-DC 转换器，提供高效的电压调节功能。
3. 电机驱动电路，支持大电流驱动以控制各类电机运行。
4. 电池管理系统（BMS），用作负载开关或保护元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块，如逆变器和不间断电源（UPS）。
IRFZ44N
FDP18N10
STP18NF10L
