时间：2025/7/9 14:56:48
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FN15X823K160PNG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor的一部分）生产的高压MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型设计。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特点，适合应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场合。
这款MOSFET基于先进的半导体制造工艺，能够提供卓越的性能表现，并且其封装形式为PQFN，有助于提高电路板空间利用率并降低整体系统的热阻。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：8.2A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
开关时间：ton=45ns，toff=35ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
FN15X823K160PNG具有以下主要特点：
1. 极高的耐压能力，可承受高达1500V的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻，在额定条件下仅为160mΩ，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关特性，通过优化的栅极电荷设计，显著缩短了开关延迟时间。
4. 小型化封装（PQFN），提升了散热效率并且减少了寄生电感的影响。
5. 能够在极端温度范围内稳定工作，满足工业级或汽车级应用需求。
6. 高可靠性设计，经过严格测试以确保长期使用的稳定性。
该型号广泛用于各种电力电子设备中，具体包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 太阳能逆变器及不间断电源系统中的功率转换模块。
5. 各类工业控制和家电产品中的高压驱动部分。
6. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
FDP15N100,
IRFP260N,
STP15NF100,
IXFH15N100T2
