时间：2025/7/5 4:48:55
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FN15X221K500PNG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
FN15X221K500PNG的封装形式为PQFN（Plastic Quad Flat No-Lead），这种封装设计能够提供更小的尺寸和更好的散热性能，非常适合对空间和效率要求较高的应用。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：22mΩ
总栅极电荷：130nC
输入电容：3680pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
FN15X221K500PNG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性，可在极端温度环境下工作。
5. 小型化PQFN封装，节省PCB空间并改善散热效果。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景，例如：
1. 开关电源中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
IRF2210, FDP15N15E
