时间：2025/5/23 14:10:20
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FN15N9R0D500PNG是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低损耗的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。
这款芯片具有极佳的热性能和电气性能，能够在高频工作条件下保持高效运行，同时其封装形式支持良好的散热特性，有助于提高系统的整体可靠性。
型号：FN15N9R0D500PNG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：90V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：4mΩ
总功耗：135W
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃至175℃
FN15N9R0D500PNG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用场景下显著降低功耗。
2. 高速开关能力，能够有效减少开关损耗。
3. 具备优异的热稳定性和耐用性，适用于严苛的工作环境。
4. 支持大电流连续输出，满足工业级和汽车级应用需求。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 内部集成ESD保护电路，增强了器件的抗静电能力。
7. 提供宽泛的工作温度范围，适应多种复杂工况。
8. 封装形式坚固耐用，适合自动化生产和表面贴装技术（SMT）。
FN15N9R0D500PNG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中作为高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关或逆变器组件。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品。
7. 高效节能型家用电器中的功率控制单元。
IRF260N, STP15NF06L, FDP15N10E
