时间：2025/5/24 19:24:18
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FN15N8R2D500PNG是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压和高效能的电力电子应用。该器件采用N沟道技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
FN15N8R2D500PNG以其卓越的电气性能和可靠性，在高电压场景中表现出色，适合用于工业控制、消费类电子产品以及新能源领域。
型号：FN15N8R2D500PNG
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：800V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.5Ω
Id（持续漏极电流）：15A
Qg（栅极电荷）：45nC
EAS（雪崩能量）：3.5J
封装形式：TO-247
FN15N8R2D500PNG具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达800V的漏源极电压，适用于各种高电压应用场景。
2. 低导通电阻，典型值为1.5Ω，在大电流工作条件下可以显著降低功耗。
3. 快速开关速度，栅极电荷小，有助于提高系统的整体效率。
4. 强大的雪崩能量耐受能力，确保在异常情况下也能保持稳定运行。
5. 工作温度范围宽广，能够在-55°C至+175°C之间正常工作，适应恶劣环境。
6. 封装为标准TO-247，便于安装和散热设计。
FN15N8R2D500PNG广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 电机驱动，用于工业自动化设备中的电机控制。
3. 逆变器，应用于太阳能发电系统和其他可再生能源领域。
4. 不间断电源（UPS），提供可靠的备用电源支持。
5. 各种工业控制系统，要求高可靠性和高效率的电力转换解决方案。
IRFP460, STP15NM80Z, FDP15N80E
