FN15N820J500PNG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,能够提供高效率和低导通电阻的性能。其主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域,适合需要高效能和快速切换的场景。
该型号中的数字和字母组合定义了其关键参数,如电压等级、电流容量以及封装类型等。FN15N820 表示额定电压为 820V 的 N 沟道 MOSFET。
最大漏源电压:820V
连续漏极电流:15A
栅极电荷:160nC
导通电阻(典型值):2.2Ω
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-247-3
FN15N820J500PNG 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:820V 的漏源电压使其适用于高压工业环境。
2. 低导通电阻:在同类产品中,其导通电阻仅为 2.2Ω,有助于降低功耗。
3. 快速开关特性:较小的栅极电荷确保了高效的开关速度,减少开关损耗。
4. 高温稳定性:能够在 -55℃ 到 +175℃ 的宽温度范围内稳定运行,适应各种极端条件。
5. 强大的散热性能:采用 TO-247-3 封装设计,具备出色的散热能力,便于集成到复杂系统中。
这款 MOSFET 广泛用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用场景:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器:
FN15N820J500PNG 的高耐压特性和低导通电阻使其成为这些电路的理想选择。
2. 电机驱动与控制:
可用于无刷直流电机 (BLDC) 的驱动器中,支持高效的开关操作。
3. 工业逆变器:
在光伏逆变器和其他工业逆变器中发挥重要作用。
4. 固态继电器:
提供快速、可靠的状态切换功能。
5. PFC(功率因数校正)电路:
在提高功率因数的应用中表现出色。
IRFP460,
FQP18N80,
STW81N85,
IXYS IXFN150N80T