时间：2025/6/30 11:40:19
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FN15N681J500PNG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和快速开关特性。
FN15N681J500PNG通过优化的设计降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频应用中表现优异。同时，其封装形式为PQFN（塑料四方扁平无引脚封装），具备良好的散热性能和小型化特点，非常适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：40nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃至+175℃
FN15N681J500PNG的主要特性包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达680V的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为0.5Ω，在大电流条件下显著降低功耗。
3. 快速开关特性，拥有较小的栅极电荷，减少开关过程中的能量损失。
4. PQFN封装，具有更优的热性能和电气性能，同时节省PCB空间。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
FN15N681J500PNG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业控制设备
6. 家用电器中的功率变换模块
其出色的性能使得该MOSFET成为许多高效能电力电子系统的理想选择。
IRFP460, FDP15N65S, IXTH15N65L
