时间：2025/6/9 14:20:13
阅读：4
FN15N3R9B500PNG是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高电压和高效能切换的场景。
这种MOSFET的主要特点是其低导通电阻和高耐压能力，能够有效地减少功率损耗并提高系统效率。此外，由于其快速开关特性，能够在高频工作环境下保持较低的开关损耗。
型号：FN15N3R9B500PNG
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：900V
Rds(on)（导通电阻）：3.2Ω
Id（连续漏极电流）：15A
Qg（总栅极电荷）：45nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
封装形式：TO-247
FN15N3R9B500PNG具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有效降低功耗。
3. 快速开关速度，适合高频电路应用。
4. 良好的热稳定性和可靠性，保证在极端条件下的正常工作。
5. 内置雪崩保护功能，提升器件在异常情况下的耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
FN15N3R9B500PNG适用于多种电力电子应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 逆变器和电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器中的高压侧开关。
4. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的关键组件。
6. 高压负载开关或保护电路中的核心元件。
IRFP460,
FQP17N100,
STP15NB90,
FDP18N100,
IXTP15N100
