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FN15N331J500PNG 发布时间 时间:2025/6/5 11:52:55 查看 阅读:9

FN15N331J500PNG是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的性能稳定性,适用于多种功率转换和开关应用。其封装形式为TO-220FP,适合需要高效能和良好散热性能的设计场景。
  FN15N331J500PNG在电源管理、电机驱动、负载切换等领域表现出色,同时支持较高的工作电压和电流,确保系统运行的可靠性和效率。

参数

最大漏源电压:330V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:0.4Ω
  栅极电荷:28nC
  输入电容:900pF
  开关时间:ton=47ns, toff=60ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 高耐压能力,能够承受高达330V的漏源电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻设计,减少导通损耗,提高整体系统效率。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频开关电路。
  4. 稳定的工作特性和良好的热性能,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. 封装形式为TO-220FP,提供良好的散热性能和机械强度。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 负载切换和保护电路。
  4. 逆变器和DC-DC转换器中的关键功率器件。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子中的直流电机驱动和负载切换应用。

替代型号

IRF540N
  FQP17N20
  STP16NF06L

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