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FN15N220G500PNG 发布时间 时间:2025/7/7 15:51:21 查看 阅读:13

FN15N220G500PNG是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的高压MOSFET器件。该型号属于N沟道增强型MOSFET,主要用于高电压应用场合,例如开关电源、电机驱动和逆变器等。其设计结合了低导通电阻和快速开关速度,从而提高了效率并降低了功率损耗。
  FN15N220G500PNG具有出色的雪崩击穿能力和热稳定性,适用于需要在极端条件下工作的工业及消费类电子产品。此外,它采用了TO-247封装形式,有助于提高散热性能。

参数

最大漏源电压:220V
  连续漏极电流:15A
  栅源电压(最大):±20V
  导通电阻(典型值):0.16Ω
  总功耗:200W
  结温范围:-55℃至+175℃
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

FN15N220G500PNG的主要特点是其高耐压能力,可承受高达220V的漏源电压,同时具备15A的连续漏极电流承载能力。该器件的导通电阻仅为0.16Ω,这显著降低了导通状态下的功率损耗。
  此外,这款MOSFET拥有快速开关速度,能够有效减少开关损耗,并且其栅极电荷较低,易于驱动。它还具有较强的雪崩击穿能力,能够在短路或过载情况下提供额外保护。
  FN15N220G500PNG的热阻低,配合TO-247封装形式,确保了高效的散热性能,适合长时间稳定运行的应用场景。

应用

FN15N220G500PNG广泛应用于各种需要高电压和大电流处理能力的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC转换器和DC-DC变换器。
  2. 工业电机控制与驱动系统。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  4. 不间断电源(UPS)系统。
  5. 高频逆变焊机和电磁炉等家用电器。
  由于其高性能特点,该器件非常适合要求高效能、高可靠性的电力电子应用。

替代型号

IRFP260N
  FDP18N20
  STP15NM22K5

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