时间：2025/6/21 18:12:06
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FN15N1R8C500PNG是一种高压功率MOSFET，采用N沟道增强型结构。该器件专为高效率、高可靠性的开关应用而设计，适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。其优化的Rds(on)性能和较低的栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：500mΩ
栅极电荷：25nC
功耗：13W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
FN15N1R8C500PNG具有出色的耐压能力，能够承受高达1500V的漏源电压，非常适合高压环境下的应用。此外，该器件还具备低导通电阻和快速开关速度，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
该MOSFET采用了先进的半导体工艺技术，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。同时，其紧凑的封装设计也方便了电路板布局和散热管理。
FN15N1R8C500PNG还具有良好的雪崩能力和抗静电能力，能够在异常条件下保护电路免受损坏。
该型号的MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及各种高压开关场景中。由于其高耐压和低损耗特性，它特别适合需要高效能和高可靠性的工业设备及消费电子类产品。
STG15N60DM2
IRFP260N
FDP15N150
