时间：2025/5/23 11:25:30
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FN15N1R2B500PNG是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它主要用于开关和功率控制应用，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性。这种MOSFET适用于多种电力电子设备，如开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。
该型号中的关键参数包括耐压值、导通电阻、最大电流等，这些使其在高压和高效率应用中表现优异。
耐压值：500V
导通电阻：1.2mΩ
最大漏极电流：15A
栅极电荷：35nC
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FN15N1R2B500PNG具备低导通电阻以减少传导损耗，从而提高系统效率。同时其具备较高的雪崩能量能力，能够承受过载条件下的能量冲击。此外，该器件采用先进的封装技术，提高了散热性能和电气稳定性。其快速开关特性使得开关损耗较低，非常适合高频应用。
该产品还具有出色的热稳定性和可靠性，在极端温度条件下仍能保持良好的性能。整体设计优化了栅极驱动要求，简化了电路设计并降低了系统的复杂性。
FN15N1R2B500PNG广泛应用于工业和消费类电子产品中。具体应用场景包括但不限于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制器以及电动工具驱动等领域。
在这些应用中，该器件主要负责提供高效的功率切换和控制功能，同时保证系统的安全性和稳定性。
IRFP460,
FDP15N50,
STP15NF50,
FCH15N50,
IXTH15N50
