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2SD1623T-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 8:51:06 查看 阅读:27

2SD1623T-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),属于高频晶体管类别。该晶体管设计用于高增益、低噪声和高频率应用,适用于射频(RF)放大器、中频(IF)放大器以及音频前置放大器等电路。该器件采用表面贴装(SMT)封装,具有良好的热稳定性和高频响应,是许多消费类和工业类电子设备中的关键组件。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大耗散功率(PD):300mW
  最大工作频率(fT):100MHz
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110~800(根据档位不同)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

2SD1623T-TD-E晶体管具有优异的高频性能和低噪声系数,非常适合用于射频和中频信号放大。其SOT-23封装形式使得它非常适合用于高密度PCB设计,节省空间并提高组装效率。
  该晶体管的hFE(电流增益)范围广泛,通常分为多个等级(如O档、Y档、GR档、BL档等),以适应不同的电路设计需求。这种灵活性使得设计人员可以根据具体应用选择最合适的器件,从而优化电路性能。
  此外,2SD1623T-TD-E具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于高温环境下的工业设备和汽车电子系统。其低饱和压降(VCE(sat))特性也有助于降低功耗并提高效率。
  该晶体管还具备较强的抗干扰能力和良好的线性度,适用于模拟信号放大和低噪声前置放大器设计。在音频应用中,它能够提供清晰、稳定的信号放大,提升整体音质表现。

应用

2SD1623T-TD-E晶体管广泛应用于各种电子设备中,尤其适合高频和低噪声放大器的设计。常见的应用包括射频接收器中的前置放大器、中频放大器模块、无线通信设备中的信号增强电路、消费类音频设备的前置放大电路以及工业控制系统的模拟信号处理部分。
  由于其良好的高频响应和低噪声性能,该晶体管也常用于FM收音机调谐器、CATV放大器、天线信号放大器以及其他需要高增益、低失真的应用场景。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载音响系统、远程信息处理系统(Telematics)和车载导航系统的信号处理部分,提供稳定可靠的放大性能。

替代型号

2N3904, BC547, 2SD2654

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2SD1623T-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)