时间：2025/6/24 13:03:09
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FN15B104K250PNG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压MOSFET器件，采用N沟道增强型设计。该型号主要应用于高功率开关电路、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及各类工业控制领域。
这款MOSFET具备优秀的导通电阻特性和较低的栅极电荷，能够显著提高系统效率并降低功耗。其封装形式为PQFN，具有较小的体积和良好的散热性能。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：10.4A
导通电阻：250mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1500pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
FN15B104K250PNG采用了超结技术（Super Junction Technology），使其能够在高电压条件下保持较低的导通电阻，从而提升整体效率。
它还具备快速开关速度和低栅极电荷，这使得该器件非常适合高频应用环境。
此外，PQFN封装提供了出色的热性能和电气连接可靠性，同时减少了寄生电感对开关性能的影响。
由于其高耐压能力，该器件在恶劣的电磁干扰环境下也表现出色，广泛适用于工业级和汽车级应用。
该MOSFET主要应用于以下场景：
1. 高压DC-DC转换器
2. 电机驱动与控制
3. 开关电源（SMPS）
4. 工业自动化设备中的功率管理模块
5. 太阳能逆变器
6. 电动车充电装置
7. 电池管理系统（BMS）中的保护电路
8. 各类需要高可靠性和高效率的电力电子系统
IRFP460, STP10NK120Z, FGH15N120SMD
